반도체 공정용 내플라즈마성 고순도 산화이트륨(Y₂O₃) 소재 및 부품 코팅 공정기술

반도체 장비 산업에서 경쟁력 제고를 위해 선폭의 미세화, 고집적화 등을 지속적으로 진행하고 있으며, 이를 구현하기 위해서는 화학 증착 공정(CVD process), 에칭 식각 공정(Dry Etcher Process)의 제조 공정이 반드시 필요하다.
이러한 대부분의 공정은 다양한 플라즈마와 활성 기체, 고온의 공정온도에서 진행하기 때문에 장비 내 부품(내피)에 부식의 위험성에 항상 노출되어 있다. 이러한 문제를 해결하고자 코팅용 산화이트륨(Y₂O₃) 소재를 전량 수입하여 플라즈마 용사법을 활용한 세라믹 코팅을 통하여 내피의 부식을 방지하고 있다.
그러나 대기압에서 공정을 진행하기에 코팅막이 거칠고, 막내부에 수많은 기공이 존재하여 치밀하지 못하기에 반도체 공정 중 세라믹 코팅 면이 떨어져 나와 공정상에 불량을 야기하거나 잦은 부품(내피) 교체로 공정 Tact Time 증가 및 생산 수율의 감소로까지 이어지는 등의 문제점을 개선하는 내식각성 및 수율/생산성 향상이 가능한 EB-PVD 박막 공정을 적용한 Coating 기술을 확보하였다.
반도체 부품 코팅 수요 및 해당 고객사를 유치 중이며, 긴밀한 협력을 통하여 상용화중이다.